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NXP Semiconductors - BUK9Y19-55B T/R - MOSFET TRENCH 31V-99V G3 - BUK9Y1955BTR
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BUK9Y19-55B T/R
制造商型号： BUK9Y19-55B T/R
制造商： NXP Semiconductors
描述： MOSFET TRENCH 31V-99V G3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:NXP
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:55 V
闸/源击穿电压:+/- 15 V
漏极连续电流:46 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:17.3 mOhms
配置:Single Triple Source
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-669
封装:Reel
下降时间:134 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:85 W
上升时间:180 ns
工厂包装数量:1500
典型关闭延迟时间:44 ns
零件号别名:BUK9Y19-55B,115

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