PDF查询| 数据列表 | BUK9K45-100E |
|---|---|
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2152pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 53W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 其它名称 | 568-9902-2 BUK9K45100E115 |
