数据列表 | BUK9E1R6-30E |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 120A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.4 毫欧 @ 25A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 113nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 16150pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 349W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | I2PAK |
其它名称 | 568-9869-5 BUK9E1R630E127 |