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NXP Semiconductors - BUK963R2-40B,118 - MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK - BUK963R240B118
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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

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MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

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MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

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Trans MOSFET N-CH 40V 222A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: BUK963R2-40B,118)

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BUK963R2-40B/D2PAK/REEL13//

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Nexperia USA Inc. - BUK963R2-40B,118 - MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) D2PAK

型号:BUK963R2-40B,118
仓库库存编号:1727-5263-1-ND
别名:1727-5263-1 <br>568-6588-1 <br>568-6588-1-ND <br>
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BUK963R2-40B,118|NXP Semiconductors
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BUK963R2-40B,118
制造商型号: BUK963R2-40B,118
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 BUK(95,96,9E)3R2-40B
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)93.4nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)10502pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称568-6588-2
934057097118
BUK963R2-40B /T3
BUK963R2-40B /T3-ND
BUK963R2-40B,118-ND
BUK963R240B118

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