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NXP Semiconductors - BUK1M200-50SGTDT/R - MOSFET TOPFET MULTICHAN FET - BUK1M20050SGTDTR
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BUK1M200-50SGTDT/R|NXP Semiconductors
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BUK1M200-50SGTDT/R
制造商型号： BUK1M200-50SGTDT/R
制造商： NXP Semiconductors
描述： MOSFET TOPFET MULTICHAN FET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:NXP
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:50 V
漏极连续电流:2.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:380 mOhms
配置:Quad
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-20
封装:Reel
下降时间:1600 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:9.4 W
上升时间:700 ns
工厂包装数量:500
典型关闭延迟时间:3200 ns
零件号别名:BUK1M200-50SGTD,11

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