PDF查询| 数据列表 | BSH201 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 300mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.5 欧姆 @ 160mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 70pF @ 48V |
| 功率 - 最大值 | 417mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 其它名称 | 568-6217-2 934054717215 BSH201 T/R BSH201 T/R-ND BSH201,215-ND BSH201215 |
