PDF查询| 数据列表 | BSH105 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.05A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 570mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 152pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 417mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 其它名称 | 568-6215-2 934054715215 BSH105 T/R BSH105 T/R-ND BSH105,215-ND BSH105215 |
