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NXP Semiconductors - BLF6G38-10 - 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS - BLF6G3810
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BLF6G38-10
制造商型号： BLF6G38-10
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:NXP
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:65 V
漏极连续电流:3.1 A
闸/源击穿电压:13 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:CDFM
封装:Tube
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
产品类型:MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.256 Ohms
工厂包装数量:60
零件号别名:BLF6G38-10,112

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