PDF查询| 数据列表 | RF Appl_Design Manual BFU730F |
|---|---|
| 产品相片 | SOT343F |
| 产品培训模块 | BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors |
| PCN Packaging | Date Code Extended 18/Jul/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 频率 - 跃迁 | 55GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
| 增益 | - |
| 功率 - 最大值 | 197mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 205 @ 2mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8457-2 BFU730F,115-ND BFU730F115 |
