PDF查询| 数据列表 | BFU660F |
|---|---|
| 产品相片 | BFU660F,115 |
| 产品培训模块 | BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors |
| PCN Packaging | Date Code Extended 18/Jul/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 5.5V |
| 频率 - 跃迁 | 21GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
| 增益 | 12dB ~ 21dB |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 90 @ 10mA，2V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8454-2 BFU660F,115-ND BFU660F115 |
