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NTE270
NTE ELECTRONICS
达林顿晶体管 NPN 100V TO-218
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NTE271
NTE Electronics
ER - EPROM; 16K NMOS UV Erasable; 350 ns; 5.25 V (Max.); 5.25 V (Max.); 20 ns; DIP
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NTE2716
NTE ELECTRONICS
芯片 存储器 UV EPROM 16K
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NTE272
NTE ELECTRONICS
达林顿晶体管 NPN 40V
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NTE2732
NTE Electronics
ER - EPROM; 32 K NMOS UV; 200 ns (Max.); to -0.6 V; 5 V + 5%; lt lt=== 20 ns; 10 muA
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NTE2732A
NTE ELECTRONICS
芯片 存储器 EPROM 32KB 200NS DIP-24
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NTE274
NTE ELECTRONICS
晶体管 NPN 80V 8A TO-66
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NTE276
NTE Electronics
ER - EPROM; 28-Lead DIP; 2 us (Min.)Setup Time
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NTE278
NTE ELECTRONICS
射频晶体管 NPN 20V 1.2GHZ
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NTE27C256-15
NTE Electronics
ER - EPROM; 256 Kbit EPROM; 45 ns; 100 mus; 12.75 + 0.25 V; -2 to V; 30 mA (Max.)
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NTE27C512-12D
NTE ELECTRONICS
芯片 存储器 EPROM 512KB(64K X 8)120NS
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NTE27C64-15
NTE Electronics
ER - EPROM; 64 Kbit UV; 100 ns; 12.5 + 0.25 V; -2 to V; 30 mA (Max.); 6 pF (Max.)
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