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NTE ELECTRONICS - NTE312 - 场效应管 JFET N沟道 -25V TO-106 - NTE312
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NTE312|NTE ELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTE312
制造商型号： NTE312
制造商： NTE ELECTRONICS
描述： 场效应管 JFET N沟道 -25V TO-106
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 JFET N沟道 -25V TO-106
  • 晶体管类型: 结型场效应晶体管（JFET）
  • 击穿电压: -30V
  • 零闸电压漏极电流, Idss 最小值: 5mA
  • 零闸电压漏极电流, Idss 最大值: 15mA
  • 栅极源极截断电压, Vgs 最大值: -6V
  • 功耗, Pd: 360mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 125°C
  • 封装类型: TO-92
  • 针脚数: 3
  • 零闸极电压漏极电流, Idss: 5mA 至 15mA

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