PDF查询| 数据列表 | MRF5812(G)R1,R2 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品目录绘图 | MRF5812(GR1,R2) Top |
| PCN Obsolescence | MRF Series 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 频率 - 跃迁 | 5GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| 增益 | 13dB ~ 15.5dB |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 50mA，5V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 产品目录页面 | 1635 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MRF5812GR2TR MRF5812R2 MRF5812R2MITR MRF5812R2MITR-ND MRF5812R2TR-ND |
