数据列表 | APT64GA90x(2)D30 |
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标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | POWER MOS 8™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 900V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.1V @ 15V,38A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 117A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 193A |
功率 - 最大值 | 500W |
Switching Energy | 1192µJ (开), 1088µJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 162nC |
Td (on/off) A 25°C | 18ns/131ns |
Test Condition | 600V, 38A, 4.7 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-264 [L] |