PDF查询| 数据列表 | APT35GP120JDQ2 |
|---|---|
| 产品相片 | APT2X60D60J |
| 产品目录绘图 | SOT-227 Top |
| 标准包装 | 10 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT 类型 | PT |
| 配置 | 单一 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.9V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 64A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 350µA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 3.24nF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 284W |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 供应商器件封装 | ISOTOP? |
| 其它名称 | APT35GP120JDQ2MI APT35GP120JDQ2MI-ND |
