数据列表 | APT34F100(B2,L) |
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产品相片 | TO-264 PKG |
产品目录绘图 | TO-264 Front |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 400 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 305nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9835pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1135W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装 | TO-264 [L] |
产品目录页面 | 1634 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | APT34F100LMI APT34F100LMI-ND |