PDF查询| 数据列表 | APT25GP90BDQ1(G) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品目录绘图 | TO-247 Front |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 900V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.9V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 72A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
| 功率 - 最大值 | 417W |
| Switching Energy | 370µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (on/off) A 25°C | 13ns/55ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 4.3 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 产品目录页面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | APT25GP90BDQ1GMI APT25GP90BDQ1GMI-ND |
