数据列表 | APT15GN120K(G) |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | POWER MOS 7® |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.1V @ 15V,15A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 45A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
功率 - 最大值 | 195W |
Switching Energy | 410µJ (开), 950µJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 90nC |
Td (on/off) A 25°C | 10ns/150ns |
Test Condition | 800V, 15A, 4.3 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-220-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 [K] |