PDF查询| 数据列表 | MMDT3906V |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-563bi |
| 产品培训模块 | Diode Handling and Mounting |
| 产品目录绘图 | SOT-563 Top |
| 其它图纸 | SOT-563 Side 1 SOT-563 Side 2 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | MMDT3906VTPMSTR |
