数据列表 | MJD112 |
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产品相片 | TO-263 |
产品目录绘图 | TO-252 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 25MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | MJD112-TPMSTR MJD112TP |