| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 50 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 → 31 常闭 V @ -10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 700 pF V @ -25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 26.67mm | |
| 封装类型 | TO-3 | |
| 尺寸 | 39.95 x 26.67 x 7.87mm | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | -200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.92 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -6.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 39.95mm | |
| 高度 | 7.87mm |
