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MICRON - M29W160EB70N6E - 芯片 闪存 底部引导 16M - M29W160EB70N6E
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M29W160EB70N6E
制造商型号： M29W160EB70N6E
制造商： MICRON
描述： 芯片 闪存 底部引导 16M
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 芯片 闪存 底部引导 16M
  • 存储器类型: 闪存
  • 存储器容量: 16Mbit
  • 内存配置: 2M x 8, 1M x 16
  • 电源电压最小值: 2.7V
  • 电源电压最大值: 3.6V
  • 封装类型: TSOP
  • 针脚数: 48
  • 存取时间: 70ns
  • 接口类型: CFI, 并行
  • 工作温度最小值: -40°C
  • 工作温度最高值: 85°C
  • MSL: MSL 3 - 168小时
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
  • 器件标号: 29
  • 存储器容量: 16Mbit
  • 存储器电压 Vcc: 3V
  • 存储器类型: 闪存 - 引导模块
  • 存储器类型: 闪存
  • 存储器配置: 2Mb x8 or 1Mb x16- 底部启动排列阵
  • 封装/箱盒: TSOP
  • 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  • 扇区类型: 底部引导
  • 接口: Parallel
  • 接口类型: 并行
  • 电压, Vcc: 3V
  • 电源电压范围: 2.7V 至 3.6V
  • 芯片标号: 29W160
  • 表面安装器件: SMD
  • 逻辑功能号: 160
产地： IT Italy

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: M29W160EB70N6E
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