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MICROCHIP - SST39LF801C-55-4C-MAQE - PAR NOR 8Mbit Flash 3.0-3.6V WFBGA 48 0C to +70C - SST39LF801C554CMAQE
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Microchip Technology Inc

IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA

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NOR Flash 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash

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NOR Flash 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash

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Flash Parallel 3.3V 8Mbit 512K x 16bit 55ns 48-Pin WFBGA - Trays (Alt: SST39LF801C-55-4C-MAQE)

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Flash Parallel 3.3V 8Mbit 512K x 16bit 55ns 48-Pin WFBGA T/R - Tape and Reel (Alt: SST39LF801C-55-4C-MAQE-T)

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SST39LF801 Series 8 Mb (512K x 16) Multi-Purpose Flash PAR NOR Flash - WFBGA- 48

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Flash Memory, 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash

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Flash Memory, 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash

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3.0V to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash

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SST39LF801C-55-4C-MAQE MICROCHIP PAR NOR 8Mbit Flash 3.0-3.6V WFBGA 48 0C to +70C 查看库存、价格及货期
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IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA
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Microchip Technology - SST39LF801C-55-4C-MAQE - IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA
Microchip Technology
IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA

详细描述:FLASH 存储器 IC 8Mb (512K x 16) 并联 55ns 48-WFBGA(6x4)

型号:SST39LF801C-55-4C-MAQE
仓库库存编号:SST39LF801C-55-4C-MAQE-ND
别名:SST39LF801C554CMAQE <br>

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Microchip Technology - SST39LF801C-55-4C-MAQE-T - IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA
Microchip Technology
IC FLASH 8MBIT 55NS 48WFBGA

详细描述:FLASH 存储器 IC 8Mb (512K x 16) 并联 55ns 48-WFBGA(6x4)

型号:SST39LF801C-55-4C-MAQE-T
仓库库存编号:SST39LF801C-55-4C-MAQE-T-ND

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Microchip Technology Inc. - SST39LF801C-55-4C-MAQE - 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash|70570971 | ChuangWei Electronics
Microchip Technology Inc.
3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash


型号:SST39LF801C-55-4C-MAQE
仓库库存编号:70570971

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Microchip Technology Inc. - SST39LF801C-55-4C-MAQE-T - 3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash|70570935 | ChuangWei Electronics
Microchip Technology Inc.
3.0 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash


型号:SST39LF801C-55-4C-MAQE-T
仓库库存编号:70570935

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SST39LF801C-55-4C-MAQE
制造商型号: SST39LF801C-55-4C-MAQE
制造商: MICROCHIP
描述: PAR NOR 8Mbit Flash 3.0-3.6V WFBGA 48 0C to +70C
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
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产品信息
  • Memory Density: 8 Mb
  • Memory Organization: 1 M x 8
  • Supply Voltage-Nom: 2.7 to 3.6 V
  • Access Time-Max: 55 ns

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