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INFINEON - SPW07N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 - SPW07N60CFD
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SPW07N60CFDFKSA1
库存编号:SPW07N60CFDFKSA1-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 650V 6.6A TO247-30
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SPW07N60CFD Infineon Technologies AG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6.6A I(D), 600V, 0.7OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AD10
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SPW07N60CFDFKSA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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SPW07N60CFD
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 600V 6.6A TO247-3 CoolMOS CFD

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SPW07N60CFD)

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SPW07N60CFDFKSA1)

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Trans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N, TO-247

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Infineon Technologies AG  

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INFINEON
场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
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Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
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场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SPW07N60CFD
INFINEON SPW07N60CFD
1664134

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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SPW07N60CFD|INFINEON
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPW07N60CFD
制造商型号: SPW07N60CFD
制造商: INFINEON
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 6.6A
  • 漏源电压, Vds: 650V
  • 在电阻RDS(上): 700mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 83W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-247
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 封装/箱盒: TO-247
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 6.6A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 650V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: 通孔
产地: MY Malaysia

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