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INFINEON - SPD18P06P - ??效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK - SPD18P06P
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

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MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SPD18P06PGBTMA1)

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Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SPD18P06PG)

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SPD18P06PGBT
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: SPD18P06PGBTMA1)

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SPD18P06P G
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

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SPD18P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 60V 18.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SPD18P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252

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SPD18P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Single P-Channel 60 V 130 mOhm 22 nC SIPMOS? Power Mosfet - DPAK

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SPD18P06PGBTMA1
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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -60V, -18.6A, 80W, PG-TO252-3

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Infineon - SPD18P06P G - Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
SPD18P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8491
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SPD18P06P|INFINEONSPD18P06P
INFINEON
??效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK
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SPD18P06P G|INFINEONSPD18P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 18.6A TO-252
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无图SPD18P06PG
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies - SPD18P06P G - MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3

型号:SPD18P06P G
仓库库存编号:SPD18P06P GCT-ND
别名:SPD18P06P GCT <br>

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Infineon Technologies - SPD18P06P - MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3

型号:SPD18P06P
仓库库存编号:SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT <br>

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SPD18P06P|Infineon TechnologiesSPD18P06P
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
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SPD18P06P G|Infineon TechnologiesSPD18P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
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SPD18P06P G|INFINEONSPD18P06P G
INFINEON
场效应管 MOSFET P沟道 60V 18.6A TO-252
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SPD18P06P G|Infineon TechnologiesSPD18P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
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SPD18P06P|INFINEON
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPD18P06P
制造商型号: SPD18P06P
制造商: INFINEON
描述: ??效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET COOLMOS P D-PAK
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 18.6A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 130mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 20V
  • 功耗, Pd: 80W
  • 工作???度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SMD标号: 18P06P
  • 功耗, Pd: 80W
  • 功耗, Pd: 80W
  • 外宽: 6.8mm
  • 外部深度: 10.5mm
  • 外部长度/高度: 2.55mm
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 总功率, Ptot: 80W
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: -18.6A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: -60V
  • 电压, Vgs 最高: -20V
  • 电流, Idm 脉冲: 74.4A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地: MY Malaysia

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