型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET LOW POWER_LEGACY RoHS: Compliant | 搜索 |
SPD02N80C3 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 800V 2A DPAK-2 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 搜索 |
SPD02N80C3BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 800V 2A DPAK-2 CoolMOS C3 RoHS: Compliant | 搜索 |
SPD02N80C3XT [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 800V 2A DPAK-2 CoolMOS C3
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3BT [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: SPD02N80C3BTMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: SPD02N80C3ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SPD02N80C3ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 800 V 2.7 mOhm 16 nC CoolMOS? Power Mosfet - PG-TO252-3 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SPD02N80C | Infineon | MOSFET,N沟道,800V,2A,CoolMOS,TO252 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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典型关断延迟时间 | 72 ns | |
典型接通延迟时间 | 25 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 12 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 290 pF V @ 100 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 6.22mm | |
封装类型 | PG-TO-252-3 | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 42 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 800 V | |
最大漏源电阻值 | 2.7 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 6.73mm | |
高度 | 2.41mm |