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Infineon - SPB17N80C - MOSFET,N沟道,800V,17A,CoolMOS,TO263 - SPB17N80C
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SPB17N80C
制造商型号: SPB17N80C
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,800V,17A,CoolMOS,TO263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间72 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs12 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2300 pF V @ 100
安装类型表面贴装
宽度9.45mm
封装类型PG-TO-263
尺寸10.31 x 9.45 x 4.57mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散227 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压800 V
最大漏源电阻值0.29 Ω
最大连续漏极电流17 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.31mm
高度4.57mm

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