INFINEON - SPB08P06P G - 场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263 - SPB08P06PG
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- 场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263 - SPB08P06PG
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SPB08P06P G
制造商型号:
SPB08P06P G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET P沟道 60V 8.8A TO-263
晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: -8.8A
漏源电压, Vds: -60V
在电阻RDS(上): 0.221ohm
电压 @ Rds测量: -10V
阈值电压, Vgs th 典型值: -3V
功耗, Pd: 42W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
MSL: MSL 1 -无限制
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
旗下站点
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