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INFINEON - SPA12N50C3 - ???效应管 MOSFET N 500V TO-220F - SPA12N50C3
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SPA12N50C3XKSA1
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MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP

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SPA12N50C3
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MOSFET N-Ch 500V 11.6A TO220FP-3 CoolMOS C3

RoHS: Compliant
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SPA12N50C3XKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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SPA12N50C3XKSA1
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Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin TO-220FP Tube - Bulk (Alt: SPA12N50C3XKSA1)

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SPA12N50C3
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

RoHS: Compliant
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SPA12N50C3XKSA1
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
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Infineon - SPA12N50C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号：
SPA12N50C3
品牌：
Infineon
库存编号：
753-3140
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SPA12N50C3|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SPA12N50C3
制造商型号： SPA12N50C3
制造商： INFINEON
描述： ???效应管 MOSFET N 500V TO-220F
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 500V TO-220F
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 11.6A
  • 漏源电压, Vds: 500V
  • 在电阻RDS（上）: 380mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 33W
  • ??作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220F
  • 针脚数: 3
  • 功耗, Pd: 33W
  • 功耗, Pd: 33W
  • 封装/箱盒: TO-220F
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 11.6A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds: 500V
  • 电压, Vds 典型值: 560V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 34.8A
  • 表面安装器件: 通孔
产地： KR Korea (Republic of)

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