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Infineon - SGD02N12 - 晶体管，IGBT，N沟道，1.2kV，6.2A，TO252 - SGD02N12
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SGD02N12
制造商型号： SGD02N12
制造商： Infineon
描述： 晶体管，IGBT，N沟道，1.2kV，6.2A，TO252
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型PG-TO-252-3-11
尺寸6.5 x 6.22 x 2.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散62 W
最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流6.2 A
最大集电极-发射极电压1200 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置单
长度6.5mm
高度2.3mm

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