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INFINEON - IPS105N03L G - 场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3 - IPS105N03LG
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型号 制造商 描述 操作
IPS105N03L G
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MOSFET N-Ch 30V 35A IPAK-3 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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IPS105N03LGAKMA1
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IPS105N03LG
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IPS105N03L G INFINEON 场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3 查看库存、价格及货期
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IPS105N03L G|INFINEONIPS105N03L G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3
Rohs

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Infineon - IPS105N03L G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS105N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
制造商零件编号：
IPS105N03L G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5503
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IPS105N03L G|Infineon TechnologiesIPS105N03L G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Rohs

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IPS105N03L G|INFINEONIPS105N03L G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3
Rohs

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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
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IPS105N03L G|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPS105N03L G
制造商型号： IPS105N03L G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 35A 30V PG-TO251-3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 35A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 8.8mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 38W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-251
  • 针脚数: 3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 35A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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