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INFINEON - IPP50R299CP - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 - IPP50R299CP
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IPP50R299CPXKSA1
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MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3

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IPP50R299CPHKSA1
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MOSFET N-CH 550V TO220-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IPP50R299CPXKSA1
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MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3

RoHS: Compliant

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IPP50R299CP
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MOSFET N-Ch 500V 12A TO220-3 CoolMOS CP

RoHS: Compliant

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IPP50R299CPHKSA1
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MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPP50R299CPXKSA1
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP50R299CP
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin TO-220AB Tube (Alt: IPP50R299CPXKSA1)

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IPP50R299CP
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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin TO-220AB Tube (Alt: IPP50R299CPHKSA1)

RoHS: Compliant

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IPP50R299CPXK
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IPP50R299CPXKSA1)

RoHS: Compliant

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IPP50R299CPHKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IPP50R299CPHKSA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IPP50R299CPXKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

RoHS: Compliant

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IPP50R299CP
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MOSFET, N, TO-220

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IPP50R299CPXKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 500V, 12A, TO-220

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型号 制造商 描述 操作
IPP50R299CPXKSA1
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Single N-Channel 550 V 299 mOhm 23 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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IPP50R299CP
INFINEON IPP50R299CP		1664055

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

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IPP50R299CP|INFINEONIPP50R299CP
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
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IPP50R299CP|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPP50R299CP
制造商型号： IPP50R299CP
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 漏源电压, Vds: 550V
  • 在电阻RDS（上）: 299mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 104W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • 封装/箱盒: TO-220
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 12A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 550V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: 通孔
产地： MY Malaysia

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPP50R299CP
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