INFINEON - IPI60R099CPA - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262 - IPI60R099CPA
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IPI60R099CPA
制造商型号:
IPI60R099CPA
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 31A
漏源电压, Vds: 600V
在电阻RDS(上): 99mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 255W
工作温度最小值: -40°C
???作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-262
针脚数: 3
封装/箱盒: TO-262
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
晶体管类型: 功率MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 600V
表面安装器件: 通孔
产地: MY Malaysia
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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型号: IPI60R099CPA 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
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Q Q:
800152669
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