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INFINEON - IPI028N08N3 G - 场效应管 MOSFET N沟道 100A 80V PG-TO262-3 - IPI028N08N3G
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IPI028N08N3GHKSA1
库存编号:IPI028N08N3GHKSA1-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 80V 100A TO262-30
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IPI028N08N3 G
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MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3

RoHS: Compliant

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IPI028N08N3 G INFINEON 场效应管 MOSFET N沟道 100A 80V PG-TO262-3 查看库存、价格及货期
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 100A 80V PG-TO262-3
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IPI028N08N3 G|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPI028N08N3 G
制造商型号： IPI028N08N3 G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 100A 80V PG-TO262-3
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 100A 80V PG-TO262-3
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 100A
  • 漏源电压, Vds: 80V
  • 在电阻RDS（上）: 2.4mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.8V
  • 功耗, Pd: 300W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-262
  • 针脚数: 3
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大??: 100A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IPI028N08N3 G
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