| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
| 搜索 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD60R950C6) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 600 V 950 mOhm 13 nC CoolMOS? Power Mosfet - DPAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IPD60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 600 V 950 mOhm 13 nC CoolMOS? Power Mosfet - DPAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IPD60R950C6BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 600 V 950 mOhm 13 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-252-3 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPD60R950C | Infineon | MOSFET，N沟道，600V，4.4A，CoolMOS，C6，TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3 型号：IPD60R950C6 仓库库存编号：IPD60R950C6INCT-ND 别名：IPD60R950C6INCT | 无铅 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IPD60R950C6 品牌： Infineon 库存编号： 753-3015 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD60R950C Infineon | MOSFET，N沟道，600V，4.4A，CoolMOS，C6，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IPD60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IPD60R950C6XT Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IPD60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IPD60R950C Infineon | MOSFET，N沟道，600V，4.4A，CoolMOS，C6，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPD60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 280 pF V @ 100 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | PG-TO-252 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 37 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.95 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.4 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm |
