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| IPD60R385C | Infineon | MOSFET，N沟道，600V，9A，CoolMOS3，TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： IPD60R385CP 品牌： Infineon 库存编号： 752-8362 | 搜索 |
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 | IPD60R385C Infineon | MOSFET，N沟道，600V，9A，CoolMOS3，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IPD60R385CP INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
 | IPD60R385CP Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
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| IPD60R385C Infineon | MOSFET，N沟道，600V，9A，CoolMOS3，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IPD60R385CP INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| IPD60R385CPXT Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IPD60R385CP Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 790 pF V @ 100 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | PG-TO-252 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.385 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm |
