INFINEON - IPA60R190C6 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20.2A TO220-FP - IPA60R190C6
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IPA60R190C6
- 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20.2A TO220-FP - IPA60R190C6
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IPA60R190C6
制造商型号:
IPA60R190C6
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 600V 20.2A TO220-FP
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 600V 20.2A TO220-FP
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 20.2A
漏源电压, Vds: 600V
在电阻RDS(上): 0.17ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 34W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-220FP
针脚数: 3
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 20.2A
电压, Vgs 最高: 30V
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
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型号: IPA60R190C6 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20.2A TO220-FP
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