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INFINEON - BUZ30A - 场效应管 MOSFET N TO-220 - BUZ30A
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BUZ30A|INFINEON
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BUZ30A
制造商型号: BUZ30A
制造商: INFINEON
描述: 场效应管 MOSFET N TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-220
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 21A
  • 漏源电压, Vds: 200V
  • 在电阻RDS(上): 130mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 125W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220AB
  • 针脚数: 3
  • 功耗, Pd: 125W
  • 功耗, Pd: 125W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 450mJ
  • 器件标记: BUZ30A
  • 封装/箱盒: TO-220AB
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 引脚节距: 2.54mm
  • 总功率, Ptot: 125W
  • 时间, trr 典型值: 180ns
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 26°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 21A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 200V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1400pF
  • 电流, Idm 脉冲: 84A
  • 表面安装器件: 通孔
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 130mohm
  • 针脚格式: 1G, (2+Tab)D, 3S
  • 针脚配置: a
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地: GB United Kingdom

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BUZ30A
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