型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BUP314 | Infineon | 晶体管,IGBT,BUP314D | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | BUP314 Infineon | 晶体管,IGBT,BUP314D![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
![]() | BUP314D Infineon Technologies | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | BUP314D Infineon Technologies | IGBT 1200V 42A W/DIODE DUO-PK![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | BUP314 Infineon Technologies | IGBT 晶体管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.9mm | |
封装类型 | TO-218 | |
尺寸 | 15 x 4.9 x 12.5mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大栅极发射极电压 | ±20V | |
最大连续集电极电流 | 42 A | |
最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 15mm | |
高度 | 12.5mm |