Infineon - BSM75GB120DN - IGBT 模块,1200V,105A,半桥 - BSM75GB120DN
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BSM75GB120DN
制造商型号:
BSM75GB120DN
制造商:
Infineon
描述:
IGBT 模块,1200V,105A,半桥
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
安装类型
螺丝安装
宽度
34mm
封装类型
34MM
尺寸
94 x 34 x 30.5mm
引脚数目
7
最大功率耗散
625 W
最大栅极发射极电压
±20V
最大连续集电极电流
105 A
最大集电极-发射极电压
1200 V
最高工作温度
+150 °C
通道类型
N
配置
双、发射极-集电极
长度
94mm
高度
30.5mm
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
BSM75GB120DN
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: BSM75GB120DN 品牌: Infineon 备注: IGBT 模块,1200V,105A,半桥
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Q Q:
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