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Infineon Technologies - SPP80N06S2L-H5 - MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 - SPP80N06S2LH5
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SPP80N06S2L-H5|Infineon Technologies
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SPP80N06S2L-H5
制造商型号: SPP80N06S2L-H5
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SP(P,B)80N06S2L-H5
产品相片 TO-220-3
产品变化通告 Product Discontinuation 05/Jun/2008
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)190nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6640pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装P-TO220-3
其它名称SP000014001
SPP80N06S2LH5

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