数据列表 | SP(P,I,A)20N60C3 |
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产品相片 | TO-220-3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 20.7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 190 毫欧 @ 13.1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 114nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2400pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 208W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
产品目录页面 | 1615 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SP000013527 SPP20N60C3BKSA1 SPP20N60C3HKSA1 SPP20N60C3IN SPP20N60C3X SPP20N60C3XIN SPP20N60C3XIN-ND SPP20N60C3XK |