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SPP11N60CFDXKSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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数据列表 | SPP11N60CFD |
---|---|
产品相片 | TO-220-3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 440 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 500µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 64nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
产品目录页面 | 1615 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SP000014533 SP000681042 SPP11N60CFD-ND SPP11N60CFDIN SPP11N60CFDX SPP11N60CFDXK |