数据列表 | SPI,SPP35N10 |
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产品相片 | TO-262-3 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 26/Oct/2007 |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 44 毫欧 @ 26.4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 83µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1570pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
其它名称 | SP000013852 SPI35N10X |