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Infineon Technologies - SPI11N65C3 - MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 - SPI11N65C3
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SPI11N65C3|Infineon Technologies
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SPI11N65C3
制造商型号: SPI11N65C3
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SP(P,A,I)11N65C3
产品相片 TO-262-3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1200pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称SP000014526
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK

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