PDF查询| 数据列表 | SP(P,I,A)11N60C3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 380 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | SP000013522 SPI11N60C3BKSA1 SPI11N60C3HKSA1 SPI11N60C3IN SPI11N60C3X SPI11N60C3X-ND SPI11N60C3XK SPI11N60C3XKSA1 |
