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Infineon Technologies - SPD08P06P G - MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 - SPD08P06PG
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SPD08P06P G|Infineon Technologies
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SPD08P06P G
制造商型号: SPD08P06P G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SPD,SPU08P06P
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.83A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)300 毫欧 @ 6.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)420pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称SP000096087
SP000450534
SPD08P06P G-ND
SPD08P06PG
SPD08P06PGINTR
SPD08P06PGXT

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