数据列表 | SP(D,U)04N60C3 |
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产品相片 | TO-252-3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 950 毫欧 @ 2.8A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 200µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 490pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | SP000013656 SP000083089 SP000313944 SPD04N60C3INTR SPD04N60C3T SPD04N60C3XT SPD04N60C3XTINTR SPD04N60C3XTINTR-ND |