数据列表 | SP(U,D)03N60S5 |
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产品相片 | TO-252-3 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.2A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.4 欧姆 @ 2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 135µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 420pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 38W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | SP000083076 SP000307393 SPD03N60S5-ND SPD03N60S5INTR SPD03N60S5XT |