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Infineon Technologies - PTFB211803FL V1 - 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 - PTFB211803FLV1
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PTFB211803FL V1|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PTFB211803FL V1
制造商型号： PTFB211803FL V1
制造商： Infineon Technologies
描述： 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
配置:Single
汲极/源极击穿电压:65 V
漏极连续电流:1.3 A
闸/源击穿电压:10 V
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:H-34288-2
封装:Tray
最小工作温度:- 40 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）:50 mOhms
零件号别名:FB211803FLV1NP

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